Samsung dispara la velocidad de los móviles con UFS 5.0: 10,8 GB/s para mover la Inteligencia Artificial dentro del smartphone

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Samsung ya tiene desarrollado su nuevo UFS 5.0 tras la presentación de febrero de la JEDEC, una memoria pensada para los próximos móviles con IA dentro del propio dispositivo, y la cifra que marca el salto es bastante clara: 10,8 GB/s de lectura secuencial y 9,5 GB/s de escritura secuencial. Según la compañía, hablamos de más del doble de rendimiento frente a UFS 4.1, con una mejora de eficiencia energética superior al 40%, una barbaridad que tendremos, seguramente, para la siguiente generación que llegará el año que viene.

La clave está en que Samsung no presenta esta tecnología UFS 5.0 como un simple almacenamiento más rápido para guardar fotos, vídeos o aplicaciones, sino como una pieza preparada para la etapa en la que muchas funciones de Inteligencia Artificial se ejecutan directamente en el smartphone, sin depender siempre de la nube.

Samsung muestra UFS 5.0, la tecnología de almacenamiento para smartphone de alto rendimiento con el objetivo de trabajar con la IA en local

Samsung UFS 5.0 portada

El nuevo chip de Samsung utiliza la interfaz UFS 5.0, el estándar más reciente de memoria interna definido por JEDEC, y se apoya en la V-NAND de 9ª generación de los surcoreanos, también conocida como V9. Con esa combinación, la compañía asegura que puede ofrecer un ancho de banda de 10,8 GB/s, manteniendo al mismo tiempo una eficiencia energética adaptada a dispositivos móviles.

Este punto importa bastante en móviles, porque mover más datos dentro del propio dispositivo también implica consumo, temperatura y autonomía. Para reducir ese impacto, Samsung ha incorporado tecnologías como Clock Gating y Multi Voltage. La primera corta la señal de funcionamiento de los circuitos que no se están usando, mientras que la segunda aplica diferentes voltajes según la zona del circuito, reduciendo consumo y calor.

En la práctica, Samsung explica que UFS 5.0 está preparado para guardar y procesar grandes volúmenes de datos con más rapidez, algo necesario cuando las funciones de Inteligencia Artificial generan, leen y mueven información dentro del propio teléfono. La compañía también habla de menor latencia en el procesamiento de datos y de respuestas más rápidas en servicios de IA on-device.

Más rápido, más eficiente… y más pequeño

memoria almacenamiento nand UFS 5.0

Otro dato importante está en el tamaño físico. Samsung ha reducido el paquete hasta 7,5 mm de ancho, 13 mm de largo y 0,9 mm de alto, lo que supone un formato un 16,7% más pequeño que el anterior. Esa reducción permite aprovechar mejor el espacio interno en móviles, wearables y dispositivos XR, donde cada milímetro cuenta.

La capacidad máxima prevista será de hasta 1 TB, lo cual no está nada mal, y Samsung tiene previsto iniciar la producción en masa durante el 4º trimestre de este 2026. Después, la compañía planea ampliar el suministro de UFS 5.0 hacia smartphones flagship, headsets XR y wearables con IA, es decir, al resto de dispositivos portátiles que tienen todavía margen de ganancia al ser premium.

Choi Jang-seok, responsable de planificación de producto de la división de memoria de Samsung Electronics, lo resume así:

“En la era de la Inteligencia Artificial on-device, el almacenamiento está pasando de ser un simple espacio para guardar datos a convertirse en un elemento clave que determina la experiencia de IA”.

Con estos datos, UFS 5.0 queda colocado como una de las piezas que Samsung quiere llevar a la próxima generación de dispositivos móviles con Inteligencia Artificial local, más velocidad interna, menor consumo y paquetes más pequeños, aunque no especifican los precios por paquete y capacidad, pero siendo lo mejor de lo mejor en este sector… Barato no parece que vaya a ser.

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